Abstrakt

Calibration of GaAlAs semiconductor diode for temperatures between 10-300 K

S.B.Ota, Smita Ota


The forward voltage of GaAlAs semiconductor diode has been measured for temperatures between 10-300 K and for current values between 10 nA and 450 A. The forward voltage as a function of temperature is least-squares fitted in two temperature ranges 10-22 K and 50-300 K. The coefficients are given for 2nd  order polynomials.


Haftungsausschluss: Dieser Abstract wurde mit Hilfe von Künstlicher Intelligenz übersetzt und wurde noch nicht überprüft oder verifiziert

Indiziert in

  • CASS
  • Google Scholar
  • Öffnen Sie das J-Tor
  • Nationale Wissensinfrastruktur Chinas (CNKI)
  • CiteFactor
  • Kosmos IF
  • Elektronische Zeitschriftenbibliothek
  • Verzeichnis der Indexierung von Forschungszeitschriften (DRJI)
  • Geheime Suchmaschinenlabore
  • ICMJE

Mehr sehen

Zeitschrift ISSN

Flyer